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标题:
求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！
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作者:
艺术人生
时间:
2008-3-25 21:40
标题:
求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！
题目是这样的：
9 A5 o! n8 @7 c7 o$ u
. |; @5 }$ J" o9 J
2 q2 j3 M* U) I" ~
在
T
＝
300K
时，在两块单晶硅
A
和
B
中分别均匀掺杂
N
D
＝
1*1017cm-3
和
NA=1*1016cm-3
! \1 h$ s8 b* n' n, H1 \# g7 j
1.
( v) F$ E# w/ j9 o! U+ i1 g
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
0 u8 B$ e2 X9 K8 `( x7 @
2.
D& G9 E9 b: J, V! O5 g! b# i8 f
如已知
NC
＝
2.8*1019
，
NV
＝
1.04*1019
，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
Q: k! p8 F' R! x: T( ~2 w
3.
' S+ y' W3 g2 w2 Y
如由这两种半导体形成
PN
结，求所形成的
PN
结的接触电位差。
4 R @+ M) R2 r' D, w2 D
Ni
＝
1.5*1010 cm-3 Vt
＝
KBT/e
＝
26mv
/ \2 ~. }8 N3 c; h9 h# X
硅材料
Nc
＝
2.8*1019
; o% u! J7 l; O: t# b$ {
Nv
＝
1.04*1019
- F6 g+ @1 @, C6 `4 t* |
e
＝
1.6*10
－
19
C
7 s* ~& j4 e0 v- ]
KB
＝
1.38*10
－
23
J/K
+ p& `) X( s# w
: x# s: M; L* J; x2 Z2 Y$ U
) s; Y) O6 M3 h
8 q, I5 w4 c; W3 [0 J
7 G& h8 x3 V$ ^! c' e
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。
作者:
天使3号怪盗
时间:
2008-3-26 05:58
同学,你找对人了
作者:
鸭血粉丝汤
时间:
2008-3-26 13:37
同学 您好!我艺术类毕业的!!!
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