骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。% ^3 {0 f1 y( j2 S5 a* J
在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。
& K% r& h' Y9 E1 s6 L1 x需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。
1 U. v+ k3 ^" `% N: e: W9 F8 d' P左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。' n( r; N7 I" P# ]3 n" v
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高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。: s; ?' a! _' S* ?) o
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电源键在右侧。; E! M) u7 T! G8 Y
$ K! {4 ~: @0 P, T音量键在左侧。) ^* m1 M- s+ U3 s
4 I. q$ i M" J# i- F& `4 l* P底部有3.5mm、USB Type-C。
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1 p2 q& Y. k: l& d9 @+ p跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
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已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
, Y) m' |. o; g U, n$ MGeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。, c0 }4 y+ a. S9 W' ?4 @ s# S
7 F" L6 }4 c6 U8 lGFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。$ q) H( S% ~' F4 h; \, A' u
, k5 X, b& N: @7 A& w2 S- n6 oPCMark跑分。
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Google Octane跑分。" Y% Z& q7 H2 F* ?2 y f% r. Y
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