骁龙835样机、跑分大曝光

煎饼

骁龙835采用三星10nm工艺制造，集成八核Kyro 280 CPU，主频最高2.45GHz，同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。
在发布会现场，我们也体验了骁龙835参考设计样机，一起来看看。
需要注意的是，这只是一部开发机，仅供设计参考，不代表实际产品。
% V, q( V2 Q0 x8 |, w

左侧是骁龙821，右侧是骁龙835：工艺从14nm升级为10nm，尺寸减小35％，功耗降低25％。

高通自己的骁龙835参考设计样机：外观很朴素，比较方正，背部摄像头十分惹眼。

电源键在右侧。
  K" n' J- o% j! Z
& q4 J- K# ]4 g" j# Y$ Z# J; P. a

音量键在左侧。

底部有3.5mm、USB Type-C。
$ o; }' Q. H# y7 \, l

跑分18万，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不过跑分波动性很大，理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
! b; B! e1 L7 t4 D9 t
; J' a' e6 j- ?+ O# }

已经识别得很好：6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

GeekBench 4跑分单核心过2000，多核心接近6500，相当优秀了，相比于骁龙821分别提升超过10％、50％。
' G0 U* e, `, _/ `  ?; M" Y
' A5 U# ?* I1 A/ C) e7 q, g" a

GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS，比骁龙821都提高了10+FPS。
& C: K" ]& @  W, r
$ H  F) h. x' @- E" G  X5 a

PCMark跑分。
5 o1 C) N( W7 K* P
3 W$ y" v# P8 @+ Z0 ~- {7 p; t/ S

Google Octane跑分。