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骁龙835样机、跑分大曝光

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  • TA的每日心情
    擦汗
    前天 09:54
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    [LV.10]以坛为家III

    发表于 2017-3-24 17:09:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
    骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。' K5 i# ?  J+ ]2 n; m! L5 T, S
    在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。- [4 Q2 Z4 T4 r
    需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。
    2 l! m( U+ O% ]  ~, G; @8 Q" q4 Q左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。  P$ a; |+ Z- J
      v1 v9 h/ q/ c0 p: u
    高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。
    " W% z' e/ G) I9 f$ X/ O( \. b2 A4 ~7 G( a# {1 n1 `
    电源键在右侧。
    + K& }& d3 N) X7 w3 k, i9 z2 o( o0 c/ u0 p0 Z
    音量键在左侧。$ D. n" L7 m8 @5 L
    $ a% V, M: q1 |9 `
    底部有3.5mm、USB Type-C。- {% r1 g) ]* X
    # Q) K2 S  `1 z6 m+ r( r5 l
    跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。  C8 v5 C' j2 p. a5 J* K
    7 k+ j6 t& z' b4 ~  h% o& e
    已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

    , h% n. q# q! w; E' x- h6 H* CGeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。
    ; g3 T! b3 n+ ]7 f" z: \% S
    " Q- n' j% u0 o: f1 J8 dGFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。
    5 L, e( _* a5 b/ u
    6 e  o4 f* Q8 `PCMark跑分。
    + }5 q! f4 u( l7 X
    2 ]7 ^8 X. [/ \3 T+ h  Y5 x  kGoogle Octane跑分。
    & x2 \$ s) T+ Q+ X4 z' N: I& h' B% _5 T4 q# R9 O
    & ?% e, Y, x+ n, X

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