下沙论坛

 找回密码
 注册论坛(EC通行证)

用新浪微博连接

一步搞定

QQ登录

QQ登录

下沙大学生网手机客户端,随时随地获取发布下沙信息
下沙大学生网群8 QQ群号:6490324 ,验证:下沙大学生网。
下沙大学生网交友微信群(含爆料)请加官方微信:
用手机发布本地信息严禁群发,各种宣传贴请发表在下沙信息版块有问必答,欢迎提问 提升会员等级,助你宣传
新会员必读 大学生的论坛下沙新生必读下沙币获得方法及使用
查看: 1599|回复: 0

骁龙835样机、跑分大曝光

[复制链接]
  • TA的每日心情
    奋斗
    13 小时前
  • 签到天数: 1178 天

    [LV.10]以坛为家III

    发表于 2017-3-24 17:09:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
    骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。
    - \; p) ?% G; M1 q' u+ q! b在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。9 E) Y; l4 c) h. _# N- c$ z
    需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。7 N7 \; A- A/ G  t- D6 O
    左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。
    ( x, o( H$ B: A# ?% f! `8 E. D" M2 e
    高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。* T8 P8 `( N1 F6 G  |( X
    7 m, X+ y: N% b' l* C6 S! l# V
    电源键在右侧。' W. l% Y1 d1 ^% r: W& x

    ' N3 s& k0 P& U0 ~音量键在左侧。- H3 k6 E* t' u) s1 O2 ]. i

    - m, G) B6 H1 d+ a1 r2 ^9 o底部有3.5mm、USB Type-C。  g2 M2 q7 J% W' p+ {  s

    & F+ [" h5 n% j5 v0 F$ q. x跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
    ! L+ r9 ]( a3 }; r, a0 F9 w/ f) [- A+ j# m+ N  S3 r3 ~) |
    已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
      x2 Q! B- f: R# e+ E& W3 T
    GeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。" Y6 O6 z8 y' D' ~/ \
    9 _6 V6 ^6 @8 S. M# M3 P
    GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。8 ?3 W- e+ M1 i3 Z5 `
    : O2 b9 k. R3 Q& N6 _( \5 _9 ?7 }
    PCMark跑分。& D3 S, r9 }6 _, h

    : w9 x2 n! }1 m8 D6 vGoogle Octane跑分。
    % H, F* Y; c" r3 c* P2 s$ q( m" p, Z  @9 W

    + X" \  q' [( c  B/ [/ ?

    本版积分规则

    关闭

    下沙大学生网推荐上一条 /1 下一条

    快速回复 返回顶部 返回列表