6 K r$ Z9 Y) b 第二段:“25”表示CAS(列地址选通脉冲)延迟时间(即CL值),用时钟周期表示,这里25代表CL=2.5;“33”中的前一个3表示RAS相对CAS的延时,单位是时钟周期,第二个3则表示RAS(行地址选通脉冲)预充电时间。5 M! j3 P. g7 \2 G1 }) D$ r
0 w G( m" C9 a' I4 t( q 第三段:“75”表示相对于时钟下沿的数据读取时间,即7.5ns;最后一个数字0代表SPD的版本,如0代表SPD版本为1.0。 ! v) `6 c# C- a% V6 z # O2 J- z+ @/ N+ R# l6 F7 ? 利用SPD进行优化 . o/ I" x M/ U1 y) O9 E& N$ N! K2 Y
一般来说,影响内存性能高低的因素主要是以下两点,一是内存工作频率过低,无法和CPU同步运行。二是内存传输数据时的延迟时间过长,限制了内存的数据存取速度。因此,只要对主板BIOS进行设置,修改SPD值,就可以使内存性能得到进一步的优化。( R( z, i0 D t- d3 _+ T6 e
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1.提高内存工作频率' G3 o. M0 u' y w$ V. o+ d
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启动计算机,进入主板BIOS设置(这里以Award BIOS、P4系统为例)中“Advanced Chipset Feature”界面,选择“Frequence/Voltage Control”,可以看到“CPURAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。; R. G' @& f- V. u. C$ G/ S( y. W
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注:默认设置为“SPD”,即“自动侦测模式”。在SPD模式下,系统自动从内存的SPD芯片中获取信息,所以理论上说,此时内存的工作状态是最稳定的。 9 r8 e0 p# A* l% x8 D+ o; K; w6 p0 l5 R4 d
如果想超频内存,就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如:533MHz FSB的P4外频为133MHz,要将DDR333内存超频到200MHz外频使用,那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333,无疑就要选择“3∶4”。 . w3 s: [8 j6 [+ c9 t5 F% T% Y( E& I" U: Z# n$ e
如果要保证调节后的稳定性,有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是:选择“Add Voltage”,然后进行调节。切记:在提高内存工作电压的时候,要循序渐进,切勿一次提高过多而损坏内存。 9 n! B! o7 y9 n/ ?" \. T/ R }4 n1 M4 j0 a% q
2.调整内存延迟时间4 j5 y1 i7 b5 v) T) e. L
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我们知道,内存总延迟时间=内存时钟周期×CL数值+数据存取时间(tAC值),因此,只要在BIOS中修改内存的相应参数值,就可以提升内存的性能。下面,我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明:- [+ t) q0 Z, U; Q# s
( n% g" d# I+ a+ a$ k& G (1)修改CAS延迟时间(CL值)。它表示内存进行读写操作前,列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”,数值选择有2.、2.5或者3,如果内存品质较高,可以将数值设为2。 3 | v/ X: C; o1 M3 ~7 X $ v' v. M5 y0 }% S. ~& n (2)修改tRCD值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”,数值选择有2、3等。同样是越小越好。 " z; A0 O6 ]3 B: k. w) I2 @ c- I6 E7 E" ^ (3)修改tRP值。它表示内存行地址控制器预充电时间,其参数选项为“Active to Precharge Delay”,数值选择有2、3等,参数越小说明内存读写速度就越快。 3 {& ?" V6 y# k( N) j+ F 1 k/ z/ \& _; H* B8 {4 l# O (4)修改tRAS值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”,数值选择有5、6、7等。数字越小,延迟时间越短。