求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
; J5 x% V6 P3 O
6 r% v% r" ?2 G- I: J4 S6 H1 {
: a/ k8 a$ M) N( X" ~在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
0 ]% o: V( n8 O  O) d6 ]如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
- G9 b# Z# M  e* \% R$ y7 a" g3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
! [9 h* N% e: Y4 V) k8 ye＝1.6*10－19C
# _/ n4 O& Q9 U' _- O+ iKB＝1.38*10－23J/K

7 O* X$ s! U0 A7 O5 n, I
+ H2 t, j6 h. f3 D; y) ^
0 ^7 `) v: t+ N, ?3 ^
; K% E) ]$ q5 r/ e/ }! w好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!