求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：

& k! w3 [5 [$ ~3 o# A
! B6 m% I+ W1 s在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
5 {; F0 c* |4 L; O$ N分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
) S- n: O+ J# K( P2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
+ E- k( P: O  {3.
% e5 O0 A9 i- H) ^6 d2 H- y如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
9 Q5 ]' P6 Y# S( J硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K

% M, ^2 o1 f# @3 D! L5 k0 d
, g' k# ?. N0 n# }& w& y

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天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!