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题目是这样的：
% ^) Q8 k/ p9 N' t6 y0 \: t2 b) D) p5 f, A7 A
* v4 J& Y4 Z$ t# a7 I: \
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
' G) U4 ]% ]$ k; \: k! I# T/ S0 z1.
, ]: ~8 U/ c# `, P8 x! |- L J分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。/ q7 v/ g' g% z; e( L
2.( R+ O/ V" i) b1 M0 X9 d
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。8 U2 v% {/ U6 l: z9 n
3.. _$ X0 b0 o( N8 a! u( \: ]
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。- v a3 A' t$ B* F6 w4 Z
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv3 l: ?3 Y7 D3 m' g; f
硅材料 Nc＝2.8*1019
. O W$ m/ t5 j, U' R. \Nv＝1.04*10198 c: f, Z8 X6 t4 n6 d
e＝1.6*10－19C" B7 e: q9 m1 C- O0 ?/ o1 o
KB＝1.38*10－23J/K
" s/ G! O' J: d: q4 m! H; x' o# h4 I4 @# Z: {9 n8 E8 H6 ^" P
. Z7 U1 M* _2 b
* d4 I7 ^+ k6 G6 ]+ X1 [
7 Z. M3 ~- i2 U# V好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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狗仔卡
发表于 2008-3-25 21:40:07
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