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题目是这样的：( M) g5 i" r& m0 B
' u6 j; Z6 ]' s& v , A( p' v+ [) G+ a' o8 p% w
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
' i4 A1 v% F8 s0 J" q1.
7 ]# k2 k9 y" i, ^0 Z+ S分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。2 | z" C) e; J
2.& q! m4 O1 O0 L- ]) Y) U- r. T
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
# p7 p/ t: ]; u4 E3.
& s4 \4 \: {+ [4 A# W5 u如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。4 U h. I4 `, _1 a* A
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
& U+ \% b7 b& Q7 i3 ^- [; p硅材料 Nc＝2.8*10196 p5 W% m1 y( G7 E# @! r
Nv＝1.04*1019. ]& X9 @- M8 p- r
e＝1.6*10－19C
. X) Z# b3 e% i, S$ j* IKB＝1.38*10－23J/K
, ^3 [( E! ` @0 u) d3 k4 Z& k/ \& n6 T7 b/ A8 x! l( W
d# Q, @ o, U
. Q% y* T. }8 C( t& a
- _% u4 Q* \0 C Z
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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