求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
! ~5 O, Y0 r+ }

* J: \( @% W8 a7 c2 i3 M在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
$ H  Z- W' ~, A# C; _分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
  f$ }3 D) C, d: k# t. K硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
( ~. v, n8 a1 z1 q0 `e＝1.6*10－19C
  n+ `# @- }' e. @0 |& h" k  w$ y! GKB＝1.38*10－23J/K


8 w! V" d1 t3 f6 [9 K8 H

6 {4 Q" D. M3 Y+ D6 |4 e! Y好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!