求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：


在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
! T1 j" `3 W9 f4 b0 ~9 L1 h2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
1 p3 H" w  d! N% R7 t如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
4 ]- `: r7 p0 t: U' e* Z硅材料 Nc＝2.8*1019
. S( n5 _6 T2 P; c  X# ^1 |: hNv＝1.04*1019
% Q' w+ }$ |9 ~5 b. I+ \0 D  M, v7 Be＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K
& T% m# x/ P- U' ?! N& |1 F7 e


3 u# t4 w9 t; ?+ [$ b
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!