求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
+ a$ A1 W# c" ]
# T- j9 z$ m) R. m
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
" R( }# T' C4 _& z( `1.
" x0 {( B5 L7 e) j+ p1 {分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
9 H/ m* [* T) s3 b( W+ r$ yNi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
硅材料 Nc＝2.8*1019
2 J1 u6 }7 w3 s' K( ONv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K
/ g  U- a( M# k+ u. H4 A

' ]# v, Y" b5 [- l
) u8 X' g9 C$ [8 ?3 Q3 r5 Z
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!