求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
: R7 {! `/ w4 D! Y4 ], l

; D: k  K. g, U, c  q& B4 _  f在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
1.
3 q0 n+ e0 A. U$ x4 ^' T分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
+ h0 B" }& f3 p: ~2 m2.
/ p. _- L3 F. M6 E如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
0 i+ p  a4 u# T3 n* H+ w: ^3.
! j2 P' B( f  |3 j4 u( G如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
% j- y) p0 P. c) C& INi＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
( }! b! ^" B  A7 m+ V' y硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
8 \3 ^$ u  f) re＝1.6*10－19C
; f/ k8 `. N$ ]& K# DKB＝1.38*10－23J/K
; ~; h5 X. D3 z2 b# n

) B+ }+ b# i5 m9 _. P0 D) g0 d
$ v9 e9 `. N* o) D
. _* A6 k9 H& z& o好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!

天使3号怪盗

同学,你找对人了