求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
3 B/ Q5 _8 ]- t* C/ Q9 e% ?6 ~
8 f7 f1 E4 P) ^2 D7 Z
6 Q% G* i: d4 @; D( M% L在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
* i1 W2 Z0 v3 E* D2 Q! m1.
4 M5 @0 F3 M0 ^6 P分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
: c2 p) n' O0 H. J, `% A8 L; B; Q/ ?如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
; A) N% E" d0 L6 |3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
8 F! l3 i) m$ U; e硅材料 Nc＝2.8*1019
Nv＝1.04*1019
e＝1.6*10－19C
3 V1 g& L0 @- f# Y9 h0 o; hKB＝1.38*10－23J/K
% f3 {: K8 X5 x  x2 W
: W# P% Z6 Q8 T6 y" O$ \% t
3 |5 y' @- N4 v

好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!