骁龙835采用三星10nm工艺制造，集成八核Kyro 280 CPU，主频最高2.45GHz，同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。% k, q9 g* f3 P8 r4 V
在发布会现场，我们也体验了骁龙835参考设计样机，一起来看看。
* Z i2 x& F6 j$ E/ I: H需要注意的是，这只是一部开发机，仅供设计参考，不代表实际产品。+ s6 } @+ s' A" G
左侧是骁龙821，右侧是骁龙835：工艺从14nm升级为10nm，尺寸减小35％，功耗降低25％。6 I" P. ]2 [9 R; h
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高通自己的骁龙835参考设计样机：外观很朴素，比较方正，背部摄像头十分惹眼。9 h# f9 j+ i* }: e
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电源键在右侧。, m1 M6 \* m* r0 u& a9 i
* W/ K l9 [: ?" L1 y; _音量键在左侧。
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底部有3.5mm、USB Type-C。: ]/ Q8 H- }6 e7 c! P
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跑分18万，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不过跑分波动性很大，理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
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已经识别得很好：6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
3 H. H( |$ D% _7 {/ SGeekBench 4跑分单核心过2000，多核心接近6500，相当优秀了，相比于骁龙821分别提升超过10％、50％。: i2 z2 O. C' _5 n: J$ l) O
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GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS，比骁龙821都提高了10+FPS。* w/ H& N& Y! ~. X5 u& N/ z/ t) i
6 I, i8 A' E- ^/ O5 E) V2 VPCMark跑分。+ ^1 O8 n) S6 }/ w: C, {
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Google Octane跑分。9 {5 G) t0 v( m! j, H
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发表于 2017-3-24 17:09:16
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