骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。7 L, d) p* |% F
在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。7 v) F, x9 z% P: @- X
需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。+ b) L1 b' n( h
左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。
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$ |. a7 n6 L3 [" K高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。
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电源键在右侧。
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* Y* |* {/ B2 Y音量键在左侧。$ D: y+ s T. l: Y3 L" q7 a- M
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底部有3.5mm、USB Type-C。
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: T, |) N# w# c6 C- ~7 O0 J5 l跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。: m4 O: n k$ C) O: X
& T3 ^0 M" w0 N7 n已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
5 f" C/ _ R0 P- [" \# x! ^GeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。
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$ {2 r" b- W& Z& RGFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。& g4 B0 K: l& m' n) f# M, i
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6 B1 ?6 {* S* G. A/ EGoogle Octane跑分。1 ?$ G5 \; ]& M# X$ ~
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