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题目是这样的：6 X E2 |1 A3 ~5 S8 i% X) F
% u$ G+ m# J8 V1 t+ n; a; X 5 P4 a i0 N+ |; C3 v* c
在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
! K8 G$ O* A8 ^3 n* U4 Y7 N1.
1 a7 x( ?9 x# T# C分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
8 c. Q+ i9 b, r1 F$ u. ~2.
x$ F/ M5 i3 g' g如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
; k3 k7 m6 T9 d1 ^3.9 ^7 B, q0 S( o( j; {9 V) X
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。/ T2 \& I. R' M7 r
Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv9 ^' j! c7 o) @8 J6 b2 J, \
硅材料 Nc＝2.8*1019- c$ |2 N! X1 Z; q( X: r
Nv＝1.04*10196 _) D0 ^2 l! e' j* b/ {
e＝1.6*10－19C
7 w- ^' u( C0 ]1 i9 yKB＝1.38*10－23J/K/ L8 o; M* v, {/ t
+ }/ c- ?( N" v k' P
- T8 I6 M2 b- v8 Q \" Q
6 B$ N7 E9 z- D- z- Y8 k 2 B/ T7 i4 _$ C. B2 _) J% d
好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。 |
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发表于 2008-3-25 21:40:07
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