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高通下一代骁龙处理器参数全曝光

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    [LV.Master]伴坛终老

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    发表于 2015-1-20 11:20:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

    高通已经准备全面升级下一代骁龙处理器产品线,包括低端的骁龙61X、中端的骁龙62X和高端的骁龙81X和82X处理器,主要以八核心为主,顶级系列将采用高通自家的64位自主架构,GPU方面将采用性能更强劲的Adreno 5系列。

    骁龙616处理器:采用八个Cortex-A53架构核心,主频在1.8-2.2GHz之间,集成Adreno 408图像处理器,3DMark得分可达15000分以上,搭载的基带支持LTE-A Cat6制式,将会采用中芯国际28nm HKMG工艺制造。

    骁龙620、625、629:采用自主TS1内核(Taipan架构),支持64位指令集,拥有9级流水线双发射完整乱序执行,主频在2.0-2.5GHz之间,其中骁龙620为四核心设计,而骁龙625、629为八核心。620与625集成的GPU为Adreno 418,支持双通道LPDDR3 933内存规格,而骁龙629则集成了Adreno 430,支持双通道LPDDR4 1600内存,三者均搭载了MDM9X45 LTE-A Cat10全模基带,将会采用三星/GF的20nm HKMG工艺制造。

    骁龙815处理器:采用四核TS1i+四核TS1的混合设计,采用Big.Little架构,拥有2MB三级缓存,集成Adreno 450图形处理器,支持双通道LPDDR4 1600内存,未集成基带,采用三星/GF的20nm HKMG工艺制造,目标定位主要直指Tegra X1。

    最后是最高级的骁龙820处理器,拥有八核64位TS2核心,首次集成Adreno 530图形处理器,支持双通道LPDDR4内存规格,并搭载了MDM9X55 LTE-A Cat10全模基带,将采用三星/GF的14nm FinFet工艺制造。

    另外,从行业人士获取的消息来看,高通原计划将在2015年下半年推出14nm的高通820(8996)处理器,但从目前的情况来看,虽然三星14nm工艺的良品率已经超过了80%,但由于台积电16nm工艺进展不顺利,三星的大部分订单已被苹果抢到,而且GlobalFoundries 14nm工艺已经确定延期1-2个季度,按照此进度下去,高通想在今年下半年推出骁龙820处理器仍然面临着巨大的压力。

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