骁龙835采用三星10nm工艺制造,集成八核Kyro 280 CPU,主频最高2.45GHz,同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。
) @0 x4 V/ F8 l在发布会现场,我们也体验了骁龙835参考设计样机,一起来看看。( o0 U" w: ?, Q/ W: e
需要注意的是,这只是一部开发机,仅供设计参考,不代表实际产品。 M* K8 ^! G6 j" E' y& c& f
左侧是骁龙821,右侧是骁龙835:工艺从14nm升级为10nm,尺寸减小35%,功耗降低25%。
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! q. f5 }5 W! J! H% V高通自己的骁龙835参考设计样机:外观很朴素,比较方正,背部摄像头十分惹眼。# i* L4 ]& v7 W* Q! u
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电源键在右侧。
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音量键在左侧。
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6 t8 i6 |! ?* L' h( P \底部有3.5mm、USB Type-C。
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% p+ D# n0 M7 B) D4 s7 P5 _跑分18万,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不过跑分波动性很大,理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
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4 T( K0 @5 V& e4 l已经识别得很好:6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。 & Y: w, X0 K: A$ }* ` C [6 G
GeekBench 4跑分单核心过2000,多核心接近6500,相当优秀了,相比于骁龙821分别提升超过10%、50%。1 K$ L: Q5 t$ R
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GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS,比骁龙821都提高了10+FPS。
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PCMark跑分。
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9 Q }1 K& |4 _7 c# Q0 j X! aGoogle Octane跑分。) U8 m! c J) H, J+ U6 c
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