骁龙835采用三星10nm工艺制造，集成八核Kyro 280 CPU，主频最高2.45GHz，同时集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基带X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X内存、UFS 2.1存储、802.11ad无线、蓝牙5.0。3 o4 a, z4 l/ e4 O9 s8 w
在发布会现场，我们也体验了骁龙835参考设计样机，一起来看看。' u5 ~0 d/ [% \+ q
需要注意的是，这只是一部开发机，仅供设计参考，不代表实际产品。
: C$ W( h* I" N3 h, p. o左侧是骁龙821，右侧是骁龙835：工艺从14nm升级为10nm，尺寸减小35％，功耗降低25％。
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$ a6 U5 Q4 {: b& L0 r" u) x高通自己的骁龙835参考设计样机：外观很朴素，比较方正，背部摄像头十分惹眼。6 \) Y7 V/ c5 k. h" X) @& ?4 m
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电源键在右侧。$ `- X; n% l5 v+ u4 L
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音量键在左侧。 z/ b$ |, c3 d% G2 \6 [) h* \
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底部有3.5mm、USB Type-C。
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跑分18万，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不过跑分波动性很大，理论上应该可以超过20万的。骁龙821最高可以跑到16万。
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9 \, x( c$ C r! U7 b+ v; S; g已经识别得很好：6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。
" m7 X( j. o3 S1 hGeekBench 4跑分单核心过2000，多核心接近6500，相当优秀了，相比于骁龙821分别提升超过10％、50％。
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GFXBench ES 3.1/3.0曼哈顿离屏成绩分别为43FPS、63FPS，比骁龙821都提高了10+FPS。: T( N9 _, D+ H: I: a2 u
* ]( s. |/ h+ ]0 ZPCMark跑分。# }0 Y3 Y" F# o$ x. Y, r
, v& W1 T2 |/ VGoogle Octane跑分。5 A/ Q+ y b! g" ]+ H% }# ~! z
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发表于 2017-3-24 17:09:16
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